シリコン貫通電極(TSV) エルピーダメモリ つまりマンション型メモリです。

☆概要
シリコン貫通電極(TSV) エルピーダメモリ

半導体の性能向上の原動力となってきた微細化技術は物理的限界に近づいている。

半導体に電極を通して垂直に積み重ねる製造技術「シリコン貫通電極(TSV)」を使い、
通常のDRAM製造工程の途中」に電極形成工程を導入する。

薄くしたシリコンウエハーに穴を開けた後に銅を埋め込んで電極をつくる。
極小電極は半導体1枚に約1000個形成し、横から見ると半導体の表裏両面に電極がはみ出している。
半導体を積層する際にこの電極同士をはんだ接続して、垂直方向に電気が通るようにする。

主基板に占めるDRAMの実装面積は約70%減らせる。


☆何故掲載したか?
・エルピーダが800億の増資をする。
 これが最終的に競争に勝ち残る手段なのでしょうが、
 株主は誰も喜びません。
 遠くで見ていましょう。


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☆キーワード
・シリコン貫通電極(TSV)
・DRAM
・エルピーダ


20110628エルピーダ立体DRAM開発.jpg 


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