LEDの発光部を1/5にする成膜技術を開発

☆概要
可視光と紫外線を当てながら低温で薄くLEDを成膜する技術を、
東京大学が開発した。

1.現在の技術
・原料ガスの混合比を精密に制御
・基板をセ氏約100度に加熱して化合物半導体層を作成。

2.新技術
・膜は厚さがこれまでの5分の1と薄い。
・原料ガスの混合比を従来のように精密に制御する必要がない。
・加熱のかわりに紫外線で原料ガスを分解するので、
・高温に弱い樹脂を基板に使うこともできる。

新技術を応用すれば、青色光や赤色光を放つLED用化合物半導体薄膜も作製できるとみている。


☆何故掲載したか?
・これから光る物は全てLEDに切り替わっていく。
 コストダウンの技術をウォッチしたい。


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☆キーワード
・LED LED


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