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high-kメタルゲート技術を導入したDRAM エルピーダ

☆概要
ゲートは電気を止めたり、ためたりする「絶縁膜」と、電圧をかけて電気を流す「電極」で構成。
従来のゲートは半導体の一般的な素材であるシリコンを使っていた。

絶縁膜には電気を蓄える性質に優れた金属「ハフニウム」をベースした素材を採用
し、電極には電気がより流れやすいようチタン系の特殊金属素材を使った。

この結果、オン状態にすると、絶縁膜に引き寄せられる形で大電流が発生してスイッチの高速
切り替えを可能にし、オフ状態では絶縁膜が従来以上に電気の漏れをなくすようにした。

DRAM量産で導入は初めて!!

微細化にも役立ち、MPUやシステムLSIでは既に使用されているが、
DRAMは、データを記憶するメモリー回路と、それらを動かす周辺回路で構成し、
異なる種類の回路を同時につくるため、導入は難しいとされていた。


☆何故掲載したか?
・エルピーダが800億の増資をする。
 これが最終的に競争に勝ち残る手段なのでしょうが、
 株主は誰も喜びません。
 遠くで見ていましょう。


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☆キーワード
・high-kメタルゲート技術
・エルピーダ



20110615DRAM待機電力100分の1エルピーダ.jpg 

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